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超高亮度芯片生产商业计划书
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商 业 计 划 书

 

项目名称:超高亮度LED芯片生产

 

 

联 系 人:张建

电    话:13580818341

电子邮件:zjcygd001@126.com

通讯地址:深圳市,天水市

 

 

保 密 须 知

 

本商业计划书属于商业机密,其所涉及的内容和资料只限于已签署意向的投资者使用。收到本计划书后,收件人应该即刻确认,并遵守以下的规定:

1.      若收件人不希望涉足本计划书所述项目,请尽快将本计划书完整退回;

2.      在没有取得所有者同意前,收件人不得将本计划书全部和部分地予以复制、传递给他人、影印、泄露或散布给他人;

3.      应该象对待贵公司的机密资料一样的态度对待本计划书所提供的所有机密资料。


超高亮度发光二极管生产

中国是发光二极管的生产大国,全世界50%以上的发LED在中国封装。但是中国所封装的LED芯片90%均从台湾、日本进口。国内有五家光二极管管芯制造厂,除我公司外国内只有两家生产LED芯片。这些厂家均不能大量生产、销售12milLED芯片。美国NDR控股的甘肃天水新天公司发光二极管生产已经初具规模,是唯一一家具有专门技术、人才,专业生产超高亮度的从8mil到40mil的管芯的公司,我公司的产品技术参数可以与美国惠普、台湾国联、台湾光磊相媲美。目前12mil以上的超高亮度管芯供不应求,市场需求量达到每年400亿人民币以上。并按40%的增长率增长。在中国生产超高亮度管芯有着巨大的商机。

我公司生产的高亮度发光二极管产能可达到:加工 12mil以上高亮度LED外延芯片:100片/天, 2´´激光器芯片:20片/片,生产工艺与设备已调通,可批量化生产。到今年底可达到150片/天, 2´´激光器芯片:100片/片,每天芯片产值可达到50万人民币。

为了发展LED光电产业与国家照明工程, 超越光电有限公司与甘肃新天科技有限公司将考虑强强联合,在内地建造LED芯片生产基地,以下是我的建议:

在ZZZ地成立合资公司,筹建高亮度LED芯片生产,研发,销售合资企业。 甘肃新天公司 与美国NDR公司(新天公司的母公司)将高亮度LED芯片生产的所需的专门技术与设备投入到合资公司,同时超越光电有限公司投入资金,购买其余所需设备,新天公司将派出技术人员到合资公司安装设备,调试工艺等。合资公司负责厂房改造,人员招聘,流动资金等.

合资公司也将购买甘肃新天公司股权,建立了如下合作关系:

第一阶段:在净化厂房未建好之前,合资公司购买外延片,委托甘肃新天公司来料加工LED芯片,立即进入市场,合资公司尽快建立研发,生产与应用的团队。

第二阶段:合资公司将购买芯片加工设备,甘肃公司将已有的部分芯片设备搬到净化厂房,开始调试加工设备。

第三阶段:合资公司开始全面生产芯片,合资公司应购买甘肃股份,使甘肃公司成为XXX合资公司的加工基地.

超越光电有限公司投资         2000 万元 RMB(现金)

NDR   投资                     4000万元RMB 设备

 

    

 

项目计划以最少的资金投入,利用XXX现有的各种资源,发展SSS市光电子核心技术, 与光电子应用器件(包括超高亮度发光二极管,半导体激光器,半导体灯)。建立一支富有创新能力的技术、管理团队;构建具有自主知识产权与专有技术的从外延, 到芯片, 到封装的产业链。项目初期由留美回国创业的,国家863计划高亮度发光二极管项目负责人杭志强博士,并聘请国内外光电子器件专家(其中现有美国NDR公司美国专家)加入, 在XXX厂的基础上建立高亮度发光二极管(LED)生产线。

力争两年内达到每日生产200片LED 外延片, 4,000,000 个LED 管芯, 封装200,000 LED 器件。计划进行高亮度红光, 蓝光, 与白光LED外延片的生产制造;高亮度红光, 蓝光LED管芯的生产制造;红,蓝,白LED管芯的封装;高亮度蓝光LED的各种应用制造。

第一阶段产品:

超高亮度LED芯片(红,黄,绿,蓝,白)

超高亮度发光二极管芯(红,黄,绿,蓝,白)

功率发光二极管灯(红,黄,绿,蓝,白)

超高亮度显示屏

 

公司介绍

 

XXX有限公司将由美国NDR和YYY集团投资设立。XXX有限公司将采用先进、合适的技术和科学的管理方式,利用美国NDR的技术开发与生产优势、专有技术,人才和YYY集团公司的资金及销售网络与信息优势,籍以研究、开发、生产和销售高亮度发光二极管外延片,管芯,灯,半导体激光器、发光二极管灯,发光二极管显示屏,弥补我国在高亮度发光二极管技术领域的空白,提高我国的光电子技术水平

NDR C%

 

A%   92%

B %

                                                             

D%

NDR设备

NDR技术

YYY集团

 

 

 

 

 


XXX有限公司

   

 

 

 

图1-1:XXX限公司

 

 


投资方简介

1)美国New Dimension Research & Instrument, Inc

美国New Dimension Research & Instrument, Inc (NDR).,组建于1997年l6月,位于美国波士顿以北的128公路(即美国东部硅谷)上。NDR公司是一家以光机电一体化与化合物半导体集成电路技术为核心,集研究、开发、生产、工程为一体的高科技的企业。公司研究中心连续五年荣获美国卫生部、国防部、国家科研基金会的12个发明奖金,多次被美国小企业部评为最优秀的创新企业,被美国Fobers杂志评为优秀的创新小企业之一。公司的激光扫描器获得了重大技术上突破。  为三维微小成像与医疗检测仪取得了革命性的发展。公司目前开发制造的重要医疗检测仪器产品有以下几类:

高亮度发光二极管

半导体激光器

·基因芯片扫描仪

·多头压电式DNA点样仪,多头压电式化学液体喷射仪

·基因芯片杂交仪

·手提式激光扫描显微镜

·脑 动 脉 硬 化 检 测 仪

NDR公司从创立开始即以“创新、质量、信誉”作为企业生存和发展的第一要素,公司的所有产品在开发与生产管理上严格按照ISO9000的标准体系进行质量控制,对医疗仪器在生产过程中按美国GMP标准对产品进行严格测试、制造。新天公司所开发的产品将会价格合理,性能良好,其优越性要远远超过国内外的同类产品。公司拥有产品的核心技术与国际专利。

“开拓创新,精益求精”是NDR公司每个员工的精神动力与不懈追求。公司坚持“人才第一,诚信为本”的方针,吸引了一大批优秀技术人员、管理人员和销售人员。他们在各自的领域内都有着全面的专业知识及丰富的经验。公司几乎所有的技术人员都是来自于美国,俄国大学的博士与教授。公司首席科学家——杭志强博士是美国著名的光学扫描显微镜专家,美国卫生部研究院基金会评审员,中国国家高技术研究发展计划(04 年863计划)引导项目—高亮度发光二极管项目首席科学家,并连续多年获得美国政府发明奖。公司的研究部主任Victor是俄罗斯莫斯科大学著名的光学专家,有着近30项光学专利与研究文章。目前 NDR 拥有 15 项医疗仪器专刊。

NDR公司几乎所有的技术人员都是来自于美国和俄国大学的博士与教授。公司首席科学家——杭志强博士是美国著名的光电子器件专家,曾连续多年获得美国政府发明奖。公司的研究部主任Victor是俄罗斯莫斯科大学著名的光学专家,他有着近30项光学专利与研究文章。目前 NDR 公司拥有 15 项激光器 与光电子器件专利。

 

表1-3:NDR公司获得的主要荣誉

时间

项目名称

获奖代码

颁奖部门

 

 

1997年

PORTABLE GENE SCANNER

1R43GM057108-01

 

美国国家卫生部

CONFOCAL SCANNING MICROLASER/DETECTOR MICROSCOPE

1R43RR012279-01

Low-Weight Low-Vision Display Device

DMI-9760942

美国国家科学基金

 

 

 

1998年

OPTICAL OCULAR OXYGEN SENSOR

1R43EY011823-01A1

 

 

美国国家卫生部

HAND HELD CONFOCAL SCANNING OPHTALMOSCOPE

1R43EY012067-01

ULTRA UNIFORM TEMPERATURE PCR THERMAL CYCLER

1R43HG001796-01

CONFOCAL SCANNING MICRO-LASER/DETECTOR MICROSCOPE

2R44RR012279-02

Fast Optical Compact Disk Drive

 

美国国防部

 

1999年

GLASS BASED BIOCHIP a nd OPTICAL DETECTOR

1R43GM059010-01

美国国家卫生部

CONFOCAL SCANNING MICRO-LASER/DETECTOR MICROSCOPE

5R44RR012279-03

2000年

A HAND-HELD CONFOCAL SCANNING OPHTHALMOSCOPE

2R44EY012067-02A2

美国国家卫生部

2001年

A HAND-HELD CONFOCAL SCANNING OPHTHALMOSCOPE

5R44EY012067-03

美国国家卫生部

 

2002年

Compact Blue Laser Module for Biomedical Instruments

1R43RR017136-01

美国国家卫生部

An Optical Sensor for Semiconductor Back-End Processes

DMI-0213609

美国国家科学基金

 

2003年

Miniature diode-pumped green laser

1R43RR018042-01A1

美国国家卫生部

An Optical Sensor for Semiconductor Back-End Processes

DMI-0213609

美国国家科学基金

 

 

2YYY集团

 

4. 1.4 公司发展战略

5. 1.4.1 LED发展战略

中、长期目标

XXX光电科技有限公司的中、长期目标是建设、发展成为国内最具实力的高亮度LED芯片生产基地。短期目标是6个月内完成高亮度LED批量生产和试销,达到设计产能的60%,再用半年的时间达到设计产能的80%。从第三年开始,进入设计产能规模的生产和销售。

 

发展民族产业

高亮度GaN基蓝白光发光二极管(HB—LED)是目前全球电子产业的前沿和热点,以高亮度GaN基蓝光LED为基础而实现的高亮度白光LED更被誉为继爱迪生发明白炽灯以来最大的光源革命。我国已将发展高亮度发光二极管列入下一个五年计划国家重点项目之一。YYY光电科技有限公司将充分利用企业现有的技术和基础,使高亮度蓝光LED产业化,组建新的具有竞争规模的LED生产企业,打破国际上同行业的垄断,促进我国光电器件行业的发展。

 

构建完整的产业链

XXX有限公司将建立一支富有创新能力的技术、管理团队;构建具有自主知识产权与专有技术的从外延,到芯片,到封装的产业链。

 

2005

生产及封装高亮度红、黄、蓝、白色LED芯片,产品进入长江三角洲和珠江三角洲为主的市场;在ZZZ建立集产品研发、销售一体的制造中心。

 

 

 

2007

应用母公司专利技术,大量生产发光二极管、激光阵列、LED阵列以及LED外延。

6. 半导体激光器发展战略

在半导体激光器的发展道路上将坚持以下策略:

 

利用技术优势促进国内激光产业集团的建立和发展

目前我国多数激光产业公司规模较小,运行机制不灵活,缺乏市场竞争能力。XXX有限公司以先进的技术为切入点,联合一些经营良好、实力较强的企业为核心,吸收或兼并其它企业,形成地区性的激光产业集团公司。解决好多方面的经济利益及分配,形成科研、开发、生产、营销一体化的经营机制,参与市场竞争。然后结合激光加工站,激光加工中心建立产业集团公司。

合资经营的目的

双方投入资金,创办XXX     有限公司,采用先进而适用的技术和科学的管理方法,为客户提供优质价廉的超高亮度发光二极管,半导体照明光源产品和服务,力争在三年内培养出本公司制程技术和开发技术人才,形成合资公司制造方面的核心能力和优势,争取成为国内最具竟争力的量产高亮度LED芯片生产企业之一,力争在三年内达到年产10亿人民币 的要求。合资公司除采用成熟的生产技术外,根据合资企业发展需要,采取与国内外学术研究机构合作的方式建立企业长期技术研发支援体系,致力于开发LED上游产品外延片和芯片的生产新工艺和新技术,发展新产品,努力提高产品质量,服务质量和降低生产成本,努力提高公司的持续发展能力,使合资公司在国内LED产品市场上具有较强的竞争力,从而为投资各方带来满意的经济效益。

合资公司的经营范围

合资初期生产销售LED芯片,并根据用户的不同要求提供不同档次的委托加工业务和其他业务,今后将根据国内外市场的需要和可能开发生产情况扩展LED中游或向上、下游发展。在合资公司董事会决议的基础上,经原审批机关批准同意,合资公司经营范围可以变更。

合资公司的生产规模。合资公司生产线的建设规模分两阶段进行。第一阶段建成投产月产 150  KK芯, 100   KK单灯封装验证生产线。第二阶段在第一阶段的基础上,建成月产6000    LED  外延片生产线,600 KK芯片、 1000   KK单灯封装验证生产线。

第一阶段投资总额安门与注册资本

 合资公司的第一阶段投资总额为 600 万美元。除甲、乙双方注入投资资金外,合资公司资金不足部分向银行金融机构申请贷款,贷款用合资公司财产抵押,抵押不足部分按双方投资比例分别由甲、乙双方担保解决。合资公司注册资金 500   万美元,其中甲方(美国NDR   有限公司)出资 270  万美元 (设备) ,占公司注册资本的  %,乙方(YYY出资 230 万美元,占公司注册资本的    %。技术股100万美元.

合资公司董事会

合资公司设董事会。董事会是公司的最高权力机构。合资公司注册登记日期为合资公司董事会成立日期。

合资公司董事会由  5 人组成,甲方委派 3 人,乙方委派 2 人。其中董事长1名由 方委派,副董事长1名由乙方委派,董事 3 名。合资公司董事会成员任期4年,委派方继派可以连任。董事会根据平等的原则,决定合资公司的重大事情。合资各方应书面通知董事会及合资另一方免去或更换由该方委派的任职期间的任何一董事。如因董事退休、离职、辞职、疾病、受伤、死亡等原因致使董事职位出现空缺时,需由原委派方委派继任董事,任期内更换时,后任者的任期为前任者的剩余任期,以完成该董事职位的全部任期。包括董事长和副董事长在内的所有董事享有平等的表决权。

公司第一阶段产品:

产品大纲

公司在第一阶段将封装大功率发光二极管 (红,黄,绿,蓝,白

 


六角星状


六角星状边发射

中心发射


灯坐


线状


面发射


环状


环状

 

 

规格

 

产品号

波长

光强
(流明)

CJOP-NB96

Blue

470 nm

100

CJOP-NB97

Blue

470 nm

50

CHOP-NE96

Cyan

505 nm

300

CJOP-NE97

Cyan

505 nm

150

CJOP-NM96

Green

530 nm

300

CHOP-NM97

Green

530 nm

150

CHOP-NW96

White

5500 K

250

CHOP-NW97

White

5500 K

125

CHOP-ND92

Red

625 nm

450

CHOP-ND93

Red

625 nm

225

CHOP-NL92

Amber

590 nm

370

CHOP-NL93

Amber

590 nm

185

 

 

特征

超高亮度,高达 120 流明

长寿,长达 10 万小时

从白,到红, 黄

低工作电压

无紫外线

冷光源,

上述功率型发光二极管功率电平比传统的5 mm 指示灯LED 高20 倍,发光效率高出50%.,寿命长达 10 万小时。5W 白光单管输出和15W 白灯相当, 而体积是灯泡的1%, 功耗仅为1/3。 12 个110 流明的 灯 可制成汽车的前灯。两个大功率LED 可制成交通信号灯, 传统的LED信号灯需要 64 个 5 mm 的 LED。 

应用市场:

照明 ; b) 交通信号;c) 照相机背光源,d)娱乐,e)汽车与摩托车灯,f)矿灯与手电, g)电视背光源,h)医疗仪器

材料来源

大功率芯片

红,黄,绿: 40 mil, 20 mil AlGaInP 芯片材料

白光: GaN 40 mil, 20 mil芯片材料

甘肃新天

底座

由本公司设计,在广东外包模具,注塑

透镜

由本公司设计,在宁波外包模具,注塑

附料:广东

需求:

1)目前中国有八千万矿工,需要1亿以上矿灯,电筒。国家要求必须用发光二极管矿灯。目前大功率发光二极管国内外供不应求需要三个月等待期。矿灯

2)所有的医疗仪器的灯将要用大功率发光二极管灯取代灯泡。

B)合资公司第一年推入市场的LED芯片型号:

 

型号

 

颜色

光强

IF=20mA(mcd)

波长

(nm)

正向电压

If=20mA(V)

反向电流

Vr=-5v(uA)

典型值

最大值

典型值

最大值

最大值

COE588-8A

黄色

75

95

590

2

2.15

5

COE588-9A

黄色

75

100

590

2

2.15

5

COE588-10A

黄色

80

110

590

2.05

2.20

5

COE588-12A

黄色

100

150

590

2.05

2.25

5

COE630-8A

红色

85

130

629

1.96

2.00

5

COE630-9A

红色

90

130

629

1.96

2.05

5

COE630-10A

红色

100

160

629

2.00

2.10

5

COE630-12A

红色

150

200

629

2.05

2.15

5

B) 产品型号说明:

芯片尺寸

发光颜色

电极形状

公司名称

X

X

X

COE

 

 

 


电极形状:A--实心圆圈    B--十字加圆圈    C--M形实心圆    D--S形

功率型高亮度LED灯

型号        波长          电流(mA)    电压 (V)

COLAMP-01     460            300           3.4

COLAMP-02     460            150           3.4

COLAMP-03     白色        300           3.4

COLAMP-04    白色         150           3.4

COLAMP-05    580          300           1.8

COLAMP-06   580           150           1.8

COLAMP-07    625          300           1.8

COLAMP-08    625             150           1.8

 

技术比较

国内有二到三家公司封装功率型发光二极管。这些公司无设备,无研发能力解决散热,镀膜,倒扣封装问题。这些公司的产品只能卖 1/3 的美国公司的价格。因为功率发光二极管芯片供不应求,国内工厂买不到高品质芯片,仅做低价位的封装。 。

台湾有五家封装功率型发光二极管无研发能力解决散热,镀膜,倒扣封装问题,他们的品质远低于美国与日本。

本公司有美国的技术解决散热,镀膜,倒扣封装问题,有专门技术设计管座,有专家帮助解决镀膜等问题。公司有公司的母公司与国外LED厂有很好的关系,另外新天公司正生产功率发光二极管芯片,我们有芯片来源的保证。

 

7. 3.  行业与市场

 

8. 3.1 LED行业发展历史与现状

 

上世纪六十年代开始应用的普通发光二极管应用十分普遍,但这些早期产品发光效率低,光亮度只能达到烛光级。随着新材料及半导体工业技术的发展,在九十年代中后期国外出现了高亮度LED实用新技术、新产品,其广泛的应用给LED行业带来了更广阔的市场商机。使得LED应用由室内使用提升到户外使用,能在阳光强烈的场合下清晰显示,发光效率极高,满足了全彩色显示和便携产品低功耗要求,这些高亮度的发光管包括:

 

A、蓝色、绿色发光二极管

蓝色LED材料有碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)及铟氮镓(InGaN)三元材料等,采用InGaN/AlGaN结构制成的蓝色发光灯峰值波长470nm,法向光强达到2000mcd,绿色发光灯峰值波长520nm,法向光强可达5000mcd,其中还有峰值波长500nm的蓝绿色(交通绿)发光灯,在蓝色发光的基础上,包封时在其芯片上添加几毫克的萤光物质转换成白色,白光二极管是微型白炽灯的最佳替代品,价格虽比电灯泡贵,但不易破碎,更加省电,工作时几乎不发热,可以连续照明10多年,这些产品在日本、德国、美国及台湾等著名的光电子公司生产并推向市场。

 

B、新颖的LED

八十年代后期开发上市的GaAlAs材料,制成红色发光管,首先实现超高亮度的要求,发光强度超过1000mcd,但是光衰很大,因此应用范围受到限制,九十年代中开发成功的InGaAlP四次元材料,制成产品可以获得红、橙、黄、琥珀四种颜色,发光效率极高,并且高温性能很好,是户外使用的理想产品。

 

C、新品种LED:

工作电流为70ma,发出极强的光束,视角较大,一般为40-70度,用于汽车标志灯;贴片式(SMD)LED在小电流下工作,一般为1-2mA有足够亮度,可节省便携式产品的耗电量;恒压发光二极管,制时将电阻封装在内部,使用时不需限流电阻,一般工作在12V以下,使用者十分方便,同样在封装时加进一块集成电路,一般在5V以下工作,当通电时会闪烁发光,可以作为状态显示,使用也很方便,这种集群LED芯片、器件,组件可以制成发光模块,实现特定的功能要求,利用LED多芯片的集群组成多彩色灯具,典型的红、绿、蓝三色可以组成全色灯,在三色中间交合处呈现白色光。

 

这些新器件的出现拓展了LED的应用领域,首先是交通讯号显示光源的应用,具有抗震耐冲击,光响应速度快,省电寿命长等特点,美国HP公司在1996年推出的LED汽车尾灯模块可以随意组合成各种汽车尾灯; LED背光源,特别是高效侧部发光的背光源最为引人注目,作为LCD背光源应用,具有寿命长,出光效率高,无干扰和性价比高等特点,有电子手表、手机、BP机、电子计算器、刷卡机等广泛应用,随着便携电子产品日趋小型化,LED背光源更具优势,在手机中都选用LED背光源,因此背光源制作技术将向更薄型、低功耗,均匀一致方面发展,LED侧部背光板的厚度可做到0.7-3.5mm,出光效率达到50-70%,并且有绿色、红色、蓝色及各种混合色随客户选用,不久可能出现厚度相当于EL的超薄背光源。

 

人们最感兴趣的LED照明光源,直接目标是LED光源替代白炽灯和萤光灯,这种趋势已从局部领域和由小到大的开始替代,日本通产省号召全国节约能源,正在计划替代白炽灯的发光二极管项目(称为照亮日本的项目),头五年的预算为50亿日元,如果LED替代半数的白炽灯和萤光灯,每年可节约相当于60亿升原油的能源相当于五个1.35×106KW核电站的发电量,并可减少二氧化碳和其它温室气体的产生,改善人们生活居住的环境,因此人们正面临照明变革,期待LED给人们带来福音。由于发光二极管产业不断涌现新技术、新产品、新的应用,呈现了朝阳工业的欣欣向荣的景象,相信未来十年高亮度LED产业会得到持续发展,主要在以下几个方面:

1.制造厂商会在超高亮、全彩色技术面扩张投资,提升产能,从业人员会有增加,我国(包括台湾和香港地区)将成为世界LED的主要产地,预计占世界总量的六成以上,五年之后产值达到七十亿元,超高亮度LED会有30%速度增长。

2.今后LED发展的主导是照明光源,开始在一些领域取代白炽灯,期间会与其它光源互补,并存,共同发展,人们面临着照明光源的变革,有人预言LED是21世纪的照明光源。

3.世界光电子产业的发展推动应用领域的变化发展,相信随着LED产业的发展会有更多的资金投向 LED的研究和生产,因此现有超高亮度、蓝色、绿色LED的技术为少数厂商垄断将会突破,预计产品成本会有大幅度的下降,从而促进市场再开发,应用于的再拓展。可以相信,半导体发光技术不会被其它技术产品取代,而且会继续沿着原来的轨道向前发展。

 

 

9. 3.2 高亮度LED市场前景

 

高亮度LED是比普通发光二极管亮度高千百倍、并可作为民用照明甚至工业级应用的新型光源,仅以照明业为例,在同等亮度下,耗电仅为普通白炽灯的10分之一,寿命却是其100倍。美国每年用在照明用电为6000亿度,我国为2000亿度,故自2000年该新技术产品问世以来,得到各先进国家的极大重视,世界各照明业巨头纷纷斥巨资研发和成立半导体照明企业。我国政府对此给予了极大重视,并于2003年6月专门发文,对该行业给予政策倾斜支持,国内某些有实力的企业及研究机构也纷纷投巨资进行该技术产品的研制。具预测2010年前后,美国将有55%的白炽灯和荧光灯被半导体灯替代,形成一个500亿美元的大产业,在我国该行业尚待起步,其发展潜力和市场空间同样巨大。

 

据预测,全球高亮度发光二极管市场产值将由16亿美元增至26.4亿美元;而高亮度发光二极管市场将从2006年起快速成长,并于2008年占全球市场22%份额。一般照明设备将是未来的主流,2008 年可望达8.44亿美元,其中预测汽车灯、信号灯和背景灯将占这类市场60%以上。 2004年开始LED发展成本大幅减少,势必激增产量,其中,标准和指示灯的LED出货将占这类产品的大部份。但是,到2008年,将以高亮度发光二极管(HB-LEDs)和超高亮度发光二极管(UHB-LEDs)为主要营收的产品种类。高亮度发光二极管(HB-LEDs)新的应用产品不断出新,目前众多常见的产品: 电视、个人计算机显示器、数字相机、手机、汽车、交通信号灯和普通照明用的灯具等。

 

由于彩屏手机对LED需求殷切,自2003年下半年开始,手机市场已成为LED市场的主要出货对象。 由于彩屏手机需要搭配白光LED当背光源,使得白光LED在2003年具备了相当大的成长性。据了解,手机上所应用的LED包含了约需1颗的LED来电指示灯,2至4颗的屏幕背光源及6至8颗的按键背光源需求,手机上附加照相功能所需的3至4颗闪光灯用白光LED,整体来说一台彩屏手机对于LED颗粒的需求量,平均将可达10到12颗之多。据IDC的资料预估,今明两年(2004-2005)全球手机的出货量将可达5.6亿部及6.1亿部,其中,彩色手机之出货量将可达手机总出货量之85%及93%,简单来说,就是到2005年时,若以一支彩色手机最少需10颗LED来计算,则对LED需求量将达到56亿颗之水准,其年成长率仍将高达20%。

 

除来自手机市场的需求外,业内多数观点认为,LED产业的长期发展应以取代目前的照明灯具为主。 根据Reed Electronics Research预估, 2004年全球白光LED市场规模将达5.66亿美元。因此若LED能进入室内及室外的照明市场,则LED未来的潜力无穷。虽然目前白光LED仍未达到照明要求的技术,且成本过高,但在白光LED具有省电的优点和全球能源危机影响下,采用白光LED将是一种必然的趋势,预期2005年将会出现较具规模的市场。

表3-1:全球发光二极管 (LED)市场情况                       单位:亿美元

项目

2004年

2008年

市场占有率

市场总产值

32

56

 

高亮度LED

16

26.4

47%

超高亮度LED

 

12.32

22%

一般照明设备LED

 

8.44

 

白光LED

 

5.66

 

 

我国从事LED产业的单位超过400家(外商除外),从业人员超过5万人,其中技术人员超过5000人。2002年LED产量超过150亿只,产值超过80亿人民币;2003年LED产值超过100亿人民币,产量约200亿只,其中超高亮度LED只有几十亿只。近几年LED的发展速度超过30%,其中高亮度LED的发展速度超过50%。我国投入超高亮度LED领域,到目前为止,四元系AlGaInp的红、橙、黄色芯片已经可以大批量产,估计每年可提供8亿~10亿只,GaN基蓝、绿色芯片已可以小批量生产,估计每年可提供3亿只左右,白光LED(小功率)封装产品已批量生产,芯片以进口为主,估计年产约为5亿~8亿只。由于高亮度LED具有非常广泛的用途,特别是蓝光LED的出现,应用更丰富,

10.            3.3 LED芯片市场竞争对手情况

 

国内目前共有5家企业生产高亮度LED芯片,他们是:

 

上海金桥大晨光电科技有限公司

由美国PrinceGlory投资公司与上海金桥(集团)公司合资组建,成立于1999年,产品品种主要有RD、SR、SRK、YG、YU、OU等二元、三元素高亮度LED芯片,以及M系列红、橙、黄、绿等超高亮LED四元素产品。厂房建筑面积3300 平方米,近250名员工,生产的LED芯片的主要材料,外延片材料来自美、日等国家。

 

厦门三安电子有限公司

成立于2000年11月,注册资金2亿元,拥有近一万平方米的现代化洁净车间,引进美国、德国、日本、英国的生产和检测设备。产品以全色列高品质的超高亮度红、橙、黄、绿、蓝、紫色LED外延、芯片为主,同时涉足其它光电子材料领域,是目前国内最具规模的,集科研开发、生产销售、培训服务为一体的光电材料生产企业。

 

南昌欣磊光电科技有限公司

成立于1993年,现由江西联创光电科技股份有限公司、香港普光科技有限公司和香港达华中外有限公司共同投资,注册资本5560万元,是国内最大的专业生产发光芯片与器件的半导体生产厂家之一,每月产能达到200KK,据悉该公司正在拟定扩产计划,目标是每月产能500KK。已形成年产30亿只普通LED芯片的能力 (主要是南昌欣磊公司),并在后工序封装、LED应用以及配套等方面形成普通LED产品的产业链。

 

方大集团股份有限公司

A股上市公司,成立于1991年12月,是我国目前规模最大的新材料高新技术企业,方大集团现已形成新型建材产业、机电一体化工程产业、半导体照明及光电子产业等三大产业体系。新型建材产业包括各类建筑幕墙、铝塑复合板、单层铝板、节能环保门窗、铝型材、新型采暖散热器、特种结构等;机电一体化工程产业包括地铁屏蔽门、自动门、特种门等;半导体照明及光电子产业包括氮化镓(GaN)基蓝、绿、白光LED外延片和蓝、绿、白光LED芯片以及集成电路、半导体照明等。

在2000年开始进军氮化镓(CaN)基半导体产业,至今已累计投资2亿多元人民币,形成了年产氮化镓(CaN)外延片35000片和600kk芯片的生产能力。

 

上海宽频科技股份有限公司

A股上市公司。公司主营业务为:通信网络产品、集成电路设计、宽带网络运营、异型钢管加工。2004年4月,公司将与韩国NiNEX司合资设立中外合资企业上海明芯电子有限公司(注册资本为1000万美元。 建设一条月产5000万只高亮度兰光、绿光、白光 LED(发光二极管)芯片和2000万只LED封装产品的生产线。计划总投资为2500万美元。合资公司将是国内唯一一家集氮化镓(GaN)基高亮度蓝光、绿光、白光LED芯片规模化制造和封装为一体的厂家。

这些公司没有尖端加工设备、没有尖端技术人员和技术,他们大多生产低于0.1元RMB的低端LED芯片。

新天公司生产LED专门技术

 

 

与国内外发光二级管芯片制造商相比:

新天公司在制造功率型发光二极管有着下列专门技术:

新天公司引进了美国发展了20年的激光器﹑半导体芯片,发光二极管的研发、制造技术.

公司发明了独特的表面粗糙化加工技术。工艺简单﹑加工成本低,可提高发光效率至少30%,而国内的同行不具备此类技术.如图(1-1)

  表面粗糙化技术(1-1)

镀光膜                  光刻           腐蚀                      清洗

具有先进的砷化镓衬底剥离技术,使得发光强度增加2倍以上。如下图

衬底剥离技术(1-2)

                                                    N-metal

                                                                                                

发展了一系列提高发光强度的技术,如光增透膜﹑电流限制技术等。如下图:

1.  PR

2.  PR

3.  PR

A.增透膜技术(1-3)               

层片                 SiN膜            去胶             光刻

(接上图1-3)

干法腐蚀                  清洗

B.电流限制技术(1-4)

光胶                          光刻                   干法刻蚀                  

公司发明了电极成形技术,可免除光刻、腐蚀的工艺,大大降低了制造成本,提高了发光强度。

公司发明了功率型发光二极管的封装技术,我们可以制造1w--5w的发光二极管。

具有一流的加工设备,从PECVD到ICP、光刻等等,在同行内属设备先进之列。

本公司具有一流的研发人才, 有来自Motorola的从业40余年的工程师,俄罗斯的高级工程师、美国的高级工艺专家等高、精、尖人才。

综上所述,我公司无论是技术优势,还是硬件条件都居国内外领先水平。

公司生产的发光二极管,价格低,发光强度大,市场前景光明。

未来公司的产品方向:

(一)公司将制造半导体激光器,垂直发射激光器阵列等.

(二)公司具有最前沿的制造激光器应用产品专利技术,例:激光扫描仪﹑激光治疗青春痘﹑痤疮粉刺等。

(三) 公司具有硅工艺与技术,制造大功率半导体二极管﹑外延片等.

 

 

生产高亮度发光二极管所需设备

序号

名称

型号

1

光刻机

Karl Suss MA 56

2

涂胶机

SVG 8000

3

清洗台

Victor Associates

4

烘箱

Yes

5

显微镜

Nikon

6

酸洗清洗台

Raynolds

7

等离子增强镀膜机

STS PECVD

8

干法刻蚀机

STS RIE o r Applied

9

等离子去胶机

Ramco o r Lam

10

高密度等离子刻蚀机

Plasma Therma

11

电子束蒸发台

Cha o r Edwards

12

减薄机

Disco

13

划片机

Disco

14

膜厚测试仪器

Nanometrics

15

台阶仪

Daktak

16

电子扫描显微镜

JOEL o r Hitachi

17

测试设备

Agilent

18

封装设备

ASM

 

2)新天LED 生产流程

一、产品品种

项目技术难度最大、市场最迫切需求的白光LED为主,以目前市场需求量最大的红光、绿光LED为辅。

 

二、产品制造过程

在GaN基MOCVD专用设备上,利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术,采用三钾基镓、二茂镁、氨气、硅烷等原材料,在蓝宝石(α-Al2O3)或其它衬底基片上,外延生长出具有双异质结、量子阱等多层结构的薄膜状GaN基LED外延片,再经过衬底检测、清洗,PEVCD生产钝化层,光刻,干法刻蚀,光刻P区,蒸镀P型电极,光刻透明电极窗,蒸透明电极,光刻N区,蒸N型电极,合金、减薄、贴片、扩片等形成GaN基LED管芯,再经封装工序,即可制成高亮度LED。

其中,从外延生长出具有双异质结的工序起到减薄的工序是本项目的核心技术所在。

 

三、典型产品的工艺流程示意    

外延片 MOCVD

 

芯片制造与测试

光刻――SiN 镀膜 ――干法刻蚀--金属化――减薄――切刻――测试               

 

Karl Suss 光刻                           涂胶

 


 

光刻 CA-400                  SiN 镀膜 PECVD

 

 

 

SiNSiO2镀膜(ECR-PECVD          干法刻蚀 ICP

 

 

 

 

干法刻蚀 RIE                      金属化

 

 

 

 

氧化                                  退火

 

 

 

膜厚检测                            氧化 退火

 

 

 

 

切刻

 

          

GaN基蓝白光LED技术

在GaN基MOCVD专用设备上,利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术,采用三钾基镓、二茂镁、氨气、硅烷等原材料,在蓝宝石(α-Al2O3)或其它衬底基片上,外延生长出具有双异质结、量子阱等多层结构的薄膜状GaN基蓝光LED外延片(前道产品)。

GaN基蓝光LED外延片,再经过以下工艺流程加工成蓝光LED管芯(中道产品):“衬底检测—衬底清洗—GaN发光二极管材料生长—PEVCD生产sio2—光刻台面—干法刻蚀台面—光刻P区—蒸镀P型电极—光刻透明电极窗—蒸透明电极—光刻N区—蒸N型电极—合金—减薄—贴片—扩片—裂片—分类。

GaN基蓝光LED管芯,再经封装工序,即可制成蓝色超高亮度发光二极管(UHB—LED)(后道产品)。

GaN基蓝光LED的产业链如下图所示:

蓝光LED管子

蓝光LED管芯

蓝光LED外延片

MOCVD                   切割                封装

 


LED的发光的机制是:在电流作用下,LED器件n区的电子和P区的空穴被注入到量子阱中进行复合发光,从而把电能直接转变为光能,它没有传统白炽灯和日光灯灯丝的白热,是一种冷光源,因此大大地节电。

阱区的化学组分和结构决定了器件的发光颜色;器件的结构和质量则决定了LED的发光效率和性能。GaN基蓝光LED的技术含量就主要体现在器件的结构和质量这方面上。


GaN基蓝光LED器件的基本结构示意图如下所示:

 

白光是多种颜色的混合光,因此实现白光LED主要有以下途径:

A.目前主要是商业化做法:以460nm的InGaN蓝光芯片涂上一层YAG荧光粉,利用蓝光和被照的荧光粉转化出555nm波长混合而得到肉眼所需的白光。这中方法制管工艺简单,成本低。但是白光LED的寿命被荧光粉的寿命限制(目前约一 万多小时),能量也有损耗。

B.利用蓝光管芯和黄色光管芯封装成双管芯的白光LED。

C.利用蓝光管芯、绿色管芯和红光管芯封装成三管芯白光LED。

D.利用紫光单芯片加上红、蓝、绿三基色荧光粉封装成白光LED。

E.日本亿友公司开发出一硒化锌的白光LED,但发光功率较差。

 

 

四、厂房及设备等生产要素要求

主厂房约2000平方,需配置1万级净化、恒温、恒湿,另需充足的氮气和动力电、去离子水等配置,技术工厂以三班制计算,需60人左右。

主要生产设备包括 RIE, PECVD, ICP, Maskaligner, Sputtering, CMP, E-beam, Cleaner, SEM,Ellipsometer, Diffusion, Overns。

主要检测设备:Microscopes,PL,FT-IR,Profiler,Prober,Lapping Polishing, wafer probes。

 

11.            4.  公司管理

 

12.            4.1 公司管理结构

 

质量控制部

总经理

董事会

销售经理

人力后勤部

技术总监

生产部

财务部

图4-1:潮州光电管理构架

文本框: 市场部文本框: 营销部文本框: 研发部文本框: 测试中心 

 

 


13.            4.2 采购

 

生产LED芯片的主要原材料—-基板将从台湾、美国购买,激光基板将从台湾专门定制,需一周左右时间。被覆材料将购至台湾或中国大陆,在进口以上材料方面,中国大陆并无特别限制。

其余供应材料如环氧胶与支架可在浙江或广东定制,下定单后一周左右可拿到。

 

14.            7.2 财务预测

 

表7-1:产量预测

 

第一年

第二年

第三年

第四年

第五年

LED wafers

25600

44000

60000

66000

80000

LED chips

668kk

800

900kk

1520kk

1800kk

LED lamp

200k

500k

4kk

6kk

12kk

LD Chips

20k

150k

500k

800k

1000k

 

表7-2:销售收入预测                                               单位:万元

 

第一年

第二年

第三年

第四年

第五年

LED chips

9,680.00

10,200.00

12,000.00

15,.000

22,000.00

LD chips

2.00

10.00

50.00

80.00

100.00

LED lamps

8.00

10.00

600.00

1,200.00

1,800.00

others

15.00

20.00

40.00

60.00

100.00

合  计

9,705.00

9,240.00

12,690.00

16,340.00

24,000.00

 

表7-3:生产成本预测(直接材料、人工和制造费用,未含折旧与摊销)     单位:万元

 

第一年

第二年

第三年

第四年

第五年

Total materials

2,100.00

3,400.00

4,100.00

5,200.00

6,412.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

合   计

2,100.00

3,400.00

4,100.00

5,200.00

6,412.00

 

表7-4:固定费用、折旧与摊销预测                                    单位:万元

 

第一年

第二年

第三年

第四年

第五年

管理费用

280.00

500.00

600.00

700.00

700.00

营业费用

150.00

200.00

250.00

300.00

350.00

财务费用

20.00

40.00

60.00

80.00

90.00

折  旧

250.00

300.00

400.00

500.00

500.00

摊  销

13.00

121.00

200.00

200.00

300.00

科研费用

0.00

300.00

338.00

386.00

166.00

合    计

713.00

1,461.00

1,848.00

2,166.00

2,106.00

 

表7-5:未来5年利润预测                                           单位:万元

 

第一年

第二年

第三年

第四年

第五年

销售收入

9680.00

10200.00

9,690.00

15000.00

22000.00

    主营业务成本

2,363.00

3,821.00

4,700.00

5,900.00

7,212.00

    税金及附加

339.26

521.28

697.68

825.12

1,008.00

主营业务利润

2,009.74

2,897.72

4,292.32

4,734.88

5,780.00

    管理费用

280.00

500.00

600.00

700.00

700.00

    营业费用

150.00

200.00

250.00

300.00

350.00

    财务费用

20.00

40.00

60.00

80.00

90.00

利润总额

1,559.74

2,157.72

3,382.32

3,654.88

4,640.00

    所得税

0.00

0.00

558.08

603.06

765.60

净利润

1,559.74

2,157.72

2,824.24

3,051.82

11000.40

净利润率

47.90%

41.80%

32%

46.63%

47.67%

注:管理费用包括科研费用

 

 

主要研究开发人员

姓  名

职务/职称

从事专业

1

杭志强

总经理/博士

半导体

2

范广涵

教授

半导体光电子材料

3

Lazarev

博士

磁性物理学

4

Vasilyev

博士

电子设计和制造

5

Choquette

博士

真空集成制造技术

6

Webb

博士

仪器件设计

7

G eib

硕士

电气工程

8

陈正宇

博士

物理电子和光电子

9

徐谦刚

高工

电子技术

10

李旺勤

高工

半导体

11

楚振生

博士

半导体激光

封装团队:

冯应奇      原871 厂 封装分厂厂长,总工程师,30 年以上经验

        邓喜明      原871 厂 封装分厂主任,总工程师,25 年以上经验

John Rhee    原美国 Motorola 公司 总工,三星封装部 总工, 美国密西根大学博士30 年以上经验

贡爱兵      原美国Corning公司 激光封装部 高工  15 年以上经验

公司奖励制度

公司将拿出20%的期权股奖励管理,与技术员工。

备注:

技术股说明

NDR技术股占总股本的 15%。

甲方(NDR 公司)从1997 年开始研究激光器,功率型LED的散热,封装等问题。 公司在此研发上化了3百万以上的美元。我们将功率型LED封装技术投入新公司。 技术内容包括:

封装工艺,配方,设计图纸,工夹具,专用工具,

专用设备的设计,设备的专门需求。

材料的来源,OEM 材料制造。

相关专利。

 

 


管理团队简介

 

董事会:

 

总裁兼行政总监 (President&CEO) : 杭志强 (Jim Hang)

总工程师兼技术总监:杭志强 (Jim Hang)

技术副总裁:  Victor Lazarev

总经理: 徐磊 (Stanley Xu)

项目开发部经理:待聘

高级工程师:  Sergey Vasilyev

工程师: 待聘

顾问:  沈德忠,许祖谚,陈庚华

生产部经理:待聘

市场部经理:  待聘

财务部经理:待聘

日本部经理:Fukumura (原三洋公司总裁)

台湾部经理:David Liu

 

研究部:

 

主任: Dr. Victor Lazarev

工程师:喻孟昕

科技顾问委员会:顾问委员会每年举行一次会议,商讨有关产品开发方向和市场走向,不断完善公司发展方向。NDR将承担顾问委员会成员Stock Option 和会议差旅费。

 

管理梯队:

 

杭志强博士Dr. Jim Hang

公司创办人,全职员工

职位: 执行长

职责: 日常公司管理,应用研究; 生产和营销

 

经历:

杭博士在1991 年7 月从纽约城市大学(NYC)获得物理博士学位。他从事7年III-V 半导体领域研究共发表了25 篇有关半导体处理和特性的论文。1996 年5月他建立了New Dimension Research & Instrument, Inc. 并担当董事长及总裁。 他是Tufts大学医学院的新英格兰眼科中心的助理教授。他还是上海的复旦大学的客座 教授.他的早先经验包括在麻省Lahey 医院担任二年激光研究实验室的技术主任。从 1992-1994年, 杭 博士在American Optical Corporation担任技术经理,负责发展 一次性医疗设备。杭博士的主要研究领域是在为生物医学应用的 光学设备。他是VCSEL 共焦扫描显微镜的发明者, 他还发明了基于VCSEL 的CD, DVD 和CDR光学头,和一个 用于早期癌症检测的荧光成像内窥镜设备。他从美国 卫生总署 (NIH),美国国家 科学基金会(NSF) 获得了10项奖金, 并从国防部得 到一个合同,共计4百万美金. 杭博士在在半导体VCSEL处理,光学和生物医学工 程学,发表25篇论文并获得四项批 准专利和10 等待专利.他是在光学, 共焦扫描学, 和生物光学 领域知名的专家。1999 年他开始担任美国卫生署(NIH)一个显微镜研究部分的评委 。他有三个专利 是关于大功率激光和CD/DVD 中VCSEL的应用。

 

徐磊  Mr. Stan Xu

总经理

职责:行政和财务管理

 

经历:

徐先生在进出口产业有着广泛的管理经验, 并具有国际电信市场的丰富知识和以及 在东欧, 中国和美国的跨国销售背景。从97年10月起徐先生是New Dimension Research 和Instrument, Inc. 的总经理。 在95年5月到97年7月 之间, 他在 American Network Technologies, Inc., Natick, MA担任营销经理, 他协助中国银行和中国农业银行实现了 其银行业务通讯网络现代化。徐先生还在麻州Belmont的量子国际集团的营销经理, Belmont, MA,,负责商业合同和电信产业的交易。从9/90 到7/93, 徐先生担任上海对 外贸易公司(中国最大的进口公司)在波兰的贸易代表,负责洽谈贸易他的教合同。他的教育经历包括美国麻州Bentley 学院的工商管理硕士和北京外国语大学的学士学位。

 

Dr. Victor Lazarev

全职员工

职称: 技术副总裁

职责: 主管研发工作

 

经历:

Lazarev 博士于1976 年从莫斯科州立大学获得物理和数学博士学位。他于1996 年2月加入New Dimension Research & Instrument, Inc. 担任研究主任一职。他的 早先经验包括莫斯科州立大学26年的研究经验, 他是数学实验室的主任。他的主要研究 领域包括在反磁性和高度激动的气体分子的弛豫过程, 激光和应用光学,由于酶反应的 化学发光,和基于荧光的分析方法。Lazarev 博士是在光学和 生物光学领域的知名专家, 在磁性,生物物理学, 激光和应用光学方面出版50篇论文, 并拥有4个专利。Lazarev 博士将担当 主管公司光电研究与发展的副总裁。

 

Dr. Sergey Vasilyev

全职员工

职称: 高级电子工程师

职责: 研发实验室

 

经历:

在1997 年1982 年,获得莫斯科州立大学物理和数学博士, Vasilyev 博士被NDR聘为一位高级电机工程师从事电子设计和制造。Vasilyev 博士在电子, 机械设计,布局和原型发展有广泛的经验, 他出版了30 份论文。从1972 年到1997年他 在Radiophysics 部门担任初级和资深科学家。 他发明了俄国第一个放射性扫描通道显 微镜(STM)。他是负责发展一个具有核子分辨率的扫描探测显微镜,并对神经结构和低维度系统有着坚实的研究。 Vasilyev 博士为在高 (7 Tesla)磁场和低温中的高温超导体 开发了一种低温STM和一个为干净表面作准备的原地卵裂系统。他还开发一种对预热至400度的样品作真空研究的STM。他在扫描通道显微镜和原子强力显微镜的研究和应用方面有超过23 年的管理经验。

 

陈正宇博士

角色: 全时雇员

职称: 资深电子工程师

职责: R&D 实验室。

 

经历:

在1998年2月.于Sinica (中国科学院) 技术物理所, 获得物理电子& 光电子学博士。包括1993 年3月上海科学院, 光电子学技术硕士,自1999 年以来, 陈博士担当NDR的电机工程师,负责发展一个将基因测试的量化的光电生物医学 设备。他还参与了公司其他产品 的设计和制造, 包括氧气检测系统, 由 NIH 支持根据VCSEL 矩阵的激光共焦 显微镜。之前,陈博士任职于德国的Institut fuer Experimentelle Kernphysik(IEKP), 担任客座研究员, 他参与了CMS 跟踪仪的外部前期控制(FEC)的电子设计和软件开发。

 

薄宝旭

职位:项目经理(将在2月加入公司)

职责: 晶园加工实验室。

 

经历:

薄先生从吉林大学获得他的在半导体物理和设备硕士学位。他将于明年2月加入New Dimension Research & Instrument, Inc. 任职晶园加工经理。他的早先经验包括在中科院长春光学和精密仪器研究所担任7 年主管。负责研究MBE (VG, V80H) 和二极管激光复合半导体材料, 并在HPSL担任工程师,研究LDs 大功率设备制造和R&D。他有在CVD (China)/stripe 处理设备方面的丰富实践经验。他在半导体激光杂志上发表过14篇论文。

 

宁永强博士

职称: 高级封装工程师(明年3月加入NDR)

职责:晶园加工实验室

 

经历:

宁先生中国学院长春分院获得了他的固态物理学博士学位。他将于明年3月加入 New Dimension Research & Instrument, Inc. 任职高级封装工程师。他的早先经验包括于长春物理研究所工作了7 年,他的研究课题包括, 理解激光 的机制, 再结合加工, 和在量子点激光内的载体弛豫, 物质结构和设备结构, 譬如金属接触 论证, 光学平板印刷术,选择性etching等方面的设备加工。主要研究集中在使用电性能、PL、EL等测量方法对材料和设备性能进行描述。为 显微孔隙设备加工极低极限和放射狭窄激光。他在半导体激光杂志上发表了15篇论文。

 

Dr. Kent D. Choquette

职称: 顾问

职责:设计和加工激光阵列芯片

 

经历:

1990 年威斯康辛麦迪逊大学Choquette 获得了他的材料学博士学位。从1990 到1992 年他服务于美国电信电话公司贝尔实验室,负责开发了光电设备制造中的真空集成制造技术,并且做了他的第一次有关VCSEL的 研究。他目前是亚伯科基Sandia 国家实验室的一名资深研究成员。他参与对VCSEL 和其它光电设备的设计, 制造, 和特性的研究。这些研究包括新颖制造技术的开发,譬如VCSEL 和显微孔隙 结构物理的选择性氧化作用和研究。他在大型光电会议上做过许多报告, 发表了70项 技术论文, 拥有9 个关于VCSEL 的专利。Choquette 博士是半导体激光和VCSEL 制造领域的权威。他将为NDR设计和制造VCSEL作顾问。

 

Robert H. Webb

职称: 顾问

职责:扫描激光检眼计设计

 

经历:

Webb 先生于1959 年从Rutgers 大学获得物理博士学位。他的研究领域包括仪器设计、 眼科学 和生物医学、显微学的新方法、 流动血细胞学 和分子物理: 磁共振等。他是Applamatic 音调计 的发明者(Digilab 和Alcon) 。自1978 年以来, 扫描激光检眼计和它的分支是他的研究工作主要焦点。他现在是哈佛医学院Schepens 眼睛研究所 (SERI)一位资深科学家。1993年他于马萨诸塞总医院光学医学 Wellman 实验室担任研究工作 。 他的最近荣誉包括fellowship 在美国光学协会医疗光学的奖金(1991) 。1981 年他获红外线100 奖。Webb 博士并且是视觉和眼科学协会的研究员和电子和电子工程师学院的成员。 Webb 博士在SLO 和生物医学仪器方面发表44 篇论文和获得17 个专利。他并且是28 份论文的受邀作者。

 

Kent Geib 先生

职称: 顾问

职责:激光阵列芯片设计和制造

 

经历:

1979年Geib先生从科罗拉多州立大学获得电气工程硕士。1994年至今,他在Sandia国家实验室担任晶园加工工程师。他为设备研究和材料条件制造VCSEL。他

制造了第一块整体选择性地被氧化的VCSEL, 他创造了新的电流/电压极限 纪录、效率转换和迄今波长最短的VCSE。从1991-1994年, Geib 先生于科罗拉多电机工程的州立大学部门和美国国家科学基金会的光电计算机系统部门担任研究人员。他使用HPTs,发光二极管和VCSEL为数字式计算应用开发了III-V 半导体再生光电逻辑门的。他是知名的VCSEL 制造和加工专家并出版80 份有关VCSEL加工的论文。


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16.             

17.            2)新天LED 生产流程

 




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