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GaN基MOSFET及其制备方法
  -------- 一般项目
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发布日期: 2020/3/10
项目编号: 164107 所属行业: 电子信息 现处阶段: 研发阶段
获专利情况: 项目所在地: 江苏 融资额: 面议
融资方式: 面谈    
   
 

项目关键词:GaN基MOSFET及其制备方法

项目介绍

本发明涉及GaN基MOSFET及其制备方法,可以有效的调节(La2O3)x(SiO2)1-x薄膜与GaN衬底之间的能带补偿,减小漏电流。所述GaN基MOSFET,在GaN衬底上设有(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层,GaN衬底和(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层之间设有厚度为0.5-2nm的SiO2缓冲层。所述GaN基MOSFET的制备方法,包括如下步骤:在GaN衬底上沉积一层SiO2缓冲层,然后沉积(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层。本发明可有效降低体系的漏电流,并应用于制备信息存储和金属-氧化物-半导体场效应管的栅电介质材料中。


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